奧地利SmartNIL紫外納米壓?。篍VG7200

一、設(shè)備原理：

EVG7200紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。EVG720自動納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。用于納米技術(shù)應(yīng)用的配置包括印章機械釋放、程序控制高或低的接觸壓力。EVG獨有的吸盤設(shè)計支持軟印章和硬印章壓印，可以保證大面積納米壓印的均勻壓力，從而保證獲得很高的良率。

二、應(yīng)用范圍

納米壓印技術(shù)主要應(yīng)用于如下方面：

LEDS 制作，LED PSS納米壓印工藝，LED納米透鏡陣列；微流體學(xué)；芯片實驗室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應(yīng)；光子帶隙；光學(xué)及通訊：光晶體，激光器件；生物技術(shù)解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細胞生長。

三、主要特點及技術(shù)參數(shù)：

1、主要特點：

。 最 大產(chǎn)量高達40wafers每小時；

。 紫外光曝光；

。配備專用的紫外納米壓印工具；

。 正面對準或者正反雙面對準；

。適用襯底：Si，玻璃，化合物半導(dǎo)體；

。硬紫外納米壓印，軟紫外納米壓印、微接觸壓印。

2、技術(shù)參數(shù)

• 晶圓尺寸：最 大200mm

• 大面積壓?。鹤?大200mm

• 產(chǎn)能：最 大可到40wafers/小時

• 印章制備：支持工作模具制備，支持自動楔形脫模

• 曝光：曝光光源：高功率窄帶曝光；波長：300-500nm, 光強：~ 400 mW/cm2，光強均勻性：20%（6寸）

• 對準模塊：機械對位精度±200um，光學(xué)對位精度±3um

• 壓印微結(jié)構(gòu)尺寸范圍：40nm-2um；

• 壓印結(jié)構(gòu)分辨率：≤40納米

• 壓印殘留層厚度：≤20納米

• 滾壓印速度：2mm/s-16mm/s, 可以調(diào)節(jié)

• 圖形保型度：≥90%

• 支持傾斜光柵壓印，傾斜度45-90°

• 上料系統(tǒng)：3料盒臺，現(xiàn)場可升級

• SECS/GEM II: 可選。