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硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz

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產(chǎn)品特點(diǎn)

工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100MHz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm

詳細(xì)介紹


總覽

高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模YZ比等 特點(diǎn),可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。

產(chǎn)品型號(hào) BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B

光譜響應(yīng)
400-1100nm
帶寬(Hz)
100 MHz
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源


應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感

激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

光學(xué)相干層析

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)


技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

BPD-Si-100M-B

BPD-Si-200M-B

BPD-Si-350M-B

BPD-Si-500M-B

BPD-Si-1G-B

單位

探測(cè)器型號(hào)

Si

波長(zhǎng)

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

350M

500M

1G

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

A/W

跨阻增益

30K

30K

30K

30K

30K

V/A

飽和輸入光功率

250

250

250

250

250

μW

NEP

12

12

12

13

13

pW/Sqrt(Hz)

共模YZ比

>25

>25

>25

>25

>25

dB

輸出阻抗

50

50

50

50

50

Ω

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間可選)

FC/APC(自由空間可選)

FC/APC(自由空間可選)

FC/APC(自由空間可選)

FC/APC(自由空間可選)


射頻輸出

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA


外形尺寸

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

mm


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