材料

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

響應(yīng)波段

0.9um-1.7um

0.9um-1.7um

1.2um-2.2um

0.9um-1.7um

圖像分辨率

640×512

640×512

640×512

640×512

像元尺寸

15um

15um

15um

25um

靶面尺寸

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

16mm×12.8mm

封裝

64-pin CLCC

28-pin SDIP Package

28-pin Metal

SDIP Package

28-pin MDIP

重量

1.7g

19.5g(±0.5)

19.5g(±0.5)

24.6g/24.467g

有效像元率

>99.5%

>99.5%

≥98%

>99%

暗電流

≤30fA

≤20fA

≤25fA

≤0.2pA

量子效率

≥70%

≥70%

≥60%

≥70%

填充率

/

/

/

＞99%

串?dāng)_

/

/

/

＜1%

探測率

/

/

/

≥5×1012J(TE1)

≥7.5×1012J(TE2)

響應(yīng)非均勻性

≤5%

≤5%

≤10%

≤10%

非線性(大偏差)

≤2%

≤2%

≤4%

≤2%

大像素率

/

/

/

10MHz

增益

High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-

High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-

High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e-

High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e-

滿阱容量

High:0.041Me- Low:1.38Me-

High:0.041Me- Low:1.38Me-

High:0.019Me- Low:1.440Me-

High:0.118Me- Low:1.9Me-

TEC 制冷

非制冷

TE1/T2

TE2

TE1/TE2

工作溫度

-40℃—70℃

-40℃—70℃

-40℃—70℃

-20℃—85℃

儲存溫度

-40℃—70℃

-40℃—70℃

-40℃—70℃

-40℃—85℃

功耗

200mw

200mw**

200mw   

325mw**