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QSense Omni 耗散型石英晶體微天平

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QSense Omni 耗散型石英晶體微天平 核心參數(shù)
頻率范圍 1-72 MHz

產(chǎn)品特點(diǎn)

顯著降低噪音水平 QSense Omni通過(guò)降低噪音水平和一流的信號(hào)處理,與其他任何一款QCM-D儀器對(duì)比,靈敏度范圍至少提升了4倍。極大地降低了檢測(cè)限,使數(shù)據(jù)更易于解析。 快速而精確的液體交換 與使用傳統(tǒng)管路的QCM-D系統(tǒng)相比,直接注入式的精密流路設(shè)計(jì)將液體交換速度提升5倍,且Z小限度地避免了不必要的擴(kuò)散。這使您可以高效控制測(cè)量,更好地表征正在研究的相互作用并跟蹤快速反應(yīng)過(guò)程。在此過(guò)程中節(jié)省樣品是另一個(gè)額外優(yōu)勢(shì)。 準(zhǔn)確和可復(fù)現(xiàn)的芯片定位 智能定位工具使芯片更容易固定在準(zhǔn)確的位置上。芯片自動(dòng)固定并鎖緊,保留了芯片的聲學(xué)指紋特征。準(zhǔn)確和可復(fù)現(xiàn)的芯片固定和鎖緊使實(shí)驗(yàn)更加成功。

詳細(xì)介紹

QSense? Omni 耗散型石英晶體微天平——高效無(wú)憂(yōu)的QCM-D技術(shù)   創(chuàng)新引領(lǐng)未來(lái)

QCM-D技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者

瑞典百歐林科技有限公司與查爾姆斯理工大學(xué)是QCM-D技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者,QSense?為納米級(jí)表界面相互作用跟蹤和表征提供領(lǐng)先的、高端的耗散型石英晶體微天平。QSense? 耗散型石英晶體微天平通量高、易于使用,可以為您提供獨(dú)特的、可重復(fù)的和有深度的數(shù)據(jù)。這有助于您了解反應(yīng)的基本原理過(guò)程、提前預(yù)測(cè)真實(shí)結(jié)果以及優(yōu)化產(chǎn)品和流程,以適應(yīng)真實(shí)的反應(yīng)條件。擁有一臺(tái)QSense耗散型石英晶體微天平,可以使您和您的團(tuán)隊(duì)一直處于科學(xué)進(jìn)步和技術(shù)創(chuàng)新的最前沿。


QSense? Omni是我們最新一代QCM-D耗散型石英晶體微天平,現(xiàn)有的技術(shù)加上幾十年對(duì)表界面相互作用的深度理解,QSense? Omni可以為您提供更清晰的結(jié)果和更順暢的實(shí)驗(yàn)過(guò)程。QSense? Omni可以更快展示您獨(dú)到的見(jiàn)解,并基于高度可控的測(cè)量結(jié)果做出更可靠的結(jié)論。


QSense? Omni 適用場(chǎng)景:


您需要簡(jiǎn)單易用

? 開(kāi)箱即用的解決方案

? 開(kāi)啟工作所需的一切皆已包含


您需要靈活性

? 自由構(gòu)建滿(mǎn)足您現(xiàn)在和將來(lái)需求的系統(tǒng)


您需要自動(dòng)化

? 最大限度地減少操作時(shí)間

? 最大限度地提高可重復(fù)性


您重視數(shù)據(jù)質(zhì)量

? 從全新一代高端QCM-D儀器中獲取值得信任的結(jié)果


QSense? Omni 技術(shù)特點(diǎn):


? 自動(dòng)樣品切換

? 自動(dòng)運(yùn)行QC程序

? 直接注入液體

? 快速液體交換

? 芯片自動(dòng)鎖緊

? 集成樣品加熱艙

? 各通道流速獨(dú)立調(diào)節(jié)

? 實(shí)時(shí)編輯程序


三個(gè)選用QSense? Omni的原因:


數(shù)據(jù)解析更容易

優(yōu)異的信號(hào)處理和快速可重復(fù)的液體交換,QSense? Omni為您提供清晰、簡(jiǎn)潔的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)解析和分析更為輕松自信。


實(shí)驗(yàn)過(guò)程更順暢

得益于直觀(guān)的設(shè)計(jì)、智能的工作流程和靈巧的自動(dòng)化,成功進(jìn)行QCM-D實(shí)驗(yàn)并獲取可信和可重復(fù)的結(jié)果變得輕松簡(jiǎn)單。生產(chǎn)力大幅提高,工作更有效率。


與研究共同成長(zhǎng)

設(shè)計(jì)卓越、功能智能,QSense? Omni為科學(xué)進(jìn)步和未來(lái)創(chuàng)新量身定制。升級(jí)到更多通道或增加QSense Orbit來(lái)構(gòu)建更多元化的實(shí)驗(yàn)設(shè)置和補(bǔ)充測(cè)量,您可以輕松跨越入門(mén)級(jí)門(mén)檻,讓QSense? Omni與您的研究共同成長(zhǎng)。


QSense芯片——多種芯片表面可選:

QSense芯片是QCM-D測(cè)量的核心。芯片涂層的選擇對(duì)于您的實(shí)驗(yàn)至關(guān)重要。百歐林科技可提供超過(guò)我們提供50種標(biāo)準(zhǔn)芯片涂層和200多種定制芯片,涵蓋各種材料,包括金屬、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂層和標(biāo)準(zhǔn)化土壤。您可以從種類(lèi)繁多的芯片中找出哪種芯片材料和涂層最適合您的研究。也可以根據(jù)您的需求讓百歐林為您量身定制,我們可以讓您盡可能接近真實(shí)的反應(yīng)條件。


百歐林科技開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的芯片,經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的驗(yàn)證。QSense芯片將為您的QSense系統(tǒng)提供穩(wěn)定、可靠和可重復(fù)的數(shù)據(jù)。芯片建議一次性使用。



QSoft Omni 軟件:


一同領(lǐng)略 QSoft Omni 軟件的風(fēng)采吧!一個(gè)全新的、用戶(hù)友好的軟件,旨在幫助您完成實(shí)驗(yàn)設(shè)置并成功獲得實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。當(dāng)您在準(zhǔn)備實(shí)驗(yàn)時(shí),QSoft Omni 軟件會(huì)在后臺(tái)進(jìn)行QC程序,確保測(cè)量條件最佳。QSoft Omni幫您采集數(shù)據(jù),而Dfind使您的數(shù)據(jù)分析更輕松。


圖片 2:QSoft Omni 軟件



QSoft Omni 軟件主要特點(diǎn):

?    引導(dǎo)式工作流程帶領(lǐng)您完成實(shí)驗(yàn)設(shè)置

?    后臺(tái)自動(dòng)運(yùn)行QC程序,確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果最佳

?    拖放界面和實(shí)時(shí)編輯使程序開(kāi)發(fā)變得更為輕松

?    事件日志自動(dòng)記錄自動(dòng)操作和用戶(hù)注釋


QSense? Omni模塊及配件——探索更多:


瀏覽以下可選配模塊,擴(kuò)展您的實(shí)驗(yàn)設(shè)置和可能性。


QSense濕度模塊

用于測(cè)量芯片上涂覆的薄膜對(duì)蒸氣的吸收和釋放。


QSense窗口模塊
該系統(tǒng)可以在芯片表面上同時(shí)進(jìn)行QCM-D測(cè)量和顯微鏡觀(guān)察。您還可以進(jìn)行對(duì)光或輻射敏感的實(shí)驗(yàn)。


QSense 電化學(xué)模塊
想在同一表面上同時(shí)進(jìn)行QCM-D和電化學(xué)測(cè)量?該模塊支持多種電化學(xué)方法,如循環(huán)伏安法和電化學(xué)阻抗測(cè)量,可探索如聚合物的界面行為、靜電相互作用、腐蝕性能等。


QSense電化學(xué)窗口模塊

該模塊可在芯片表面上同時(shí)進(jìn)行QCM-D測(cè)量和光學(xué)、電化學(xué)測(cè)試,該模塊通常用于光伏等應(yīng)用。


QSense開(kāi)放模塊

開(kāi)放模塊無(wú)需管路,樣品需求量低。您可以直接移液少量液體確保覆蓋芯片即可。該模塊可進(jìn)行樣品揮發(fā)性、外部觸發(fā)反應(yīng)(如光誘導(dǎo)反應(yīng)和化學(xué)觸發(fā)反應(yīng))等研究。


QSense濕度模塊

用于測(cè)量芯片上涂覆的薄膜對(duì)蒸氣的吸收和釋放。


QSense ALD(原子層沉積)樣品架

適用于真空或氣相環(huán)境測(cè)量。


QSense PTFE流動(dòng)模塊

適用于對(duì)鈦材料敏感的測(cè)量體系。類(lèi)似于標(biāo)準(zhǔn)流動(dòng)模塊(QFM 401),但流路部分的鈦被PTFE替換。


QSense? Omni技術(shù)參數(shù):

讓我們深入了解下QSense Omni的技術(shù)性能,您還可以將這些參數(shù)與其他QSense儀器進(jìn)行比較。


測(cè)量范圍和能力

通道數(shù)

1 - 4

工作溫度

4 到 70 °C

芯片基頻

5 MHz

頻率范圍

1-72 MHz

倍頻數(shù)量

7, 均可用于粘彈性建模

樣品和流速

芯片上方體積

~ 20 μl

最小樣品體積(流動(dòng)模式)

~ 90 μl

流速范圍

1-200 μl/min

測(cè)量特性

最大時(shí)間分辨率

每秒300個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn) (每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)一個(gè)f 值和D值 )


最小噪音a


頻率: 0.005 Hz

耗散因子: 1?10-9

溫度:0.0005 ?C

質(zhì)量: 0.08 ng/cm2

不同模式下的性能請(qǐng)參閱樣本第7頁(yè)

長(zhǎng)期穩(wěn)定性 b C

頻率:< 0.25 Hz/

耗散因子: < 0.04.10-6 /h

溫度: < 0.003 ?C/h

Software軟件

QSoft Omni

Dfind分析軟件


數(shù)據(jù)輸出

7個(gè)倍頻下的頻率和耗散因子

厚度(或質(zhì)量)、粘度、剪切模量以及粘度和剪切模量的頻率依賴(lài)性、動(dòng)力學(xué)、斜率、上升時(shí)間等



電腦配置

USB 2.0或更高版本Type C接口

Intel i5處理器(或同等處理器)

內(nèi)存不小于8GB

屏幕分辨率不小于1920 x 1080


64位處理器

屏幕分辨率不小于1366×768

內(nèi)存不小于4 GB

操作系統(tǒng)

Windows 10或更新版本(Windows早期版本可能無(wú)法正常運(yùn)行)

數(shù)據(jù)輸入/輸出

SQLite

pdf, rtf, png, svg, gif, csv, xls, ogw

電源

儀器輸入

24 V DC, 10 A

外部電源輸入

100-240 V AC, 50-60 Hz, 12.5 A

尺寸和重量

高(cm)

寬(cm)

深(cm)

重量(kg) d

單通道

32

22

36

14

雙通道

32

29

36

22

三通道

32

36

36

29

四通道

32

43

36

37



所有規(guī)格可能會(huì)在未經(jīng)通知的情況下更改


b. 溫度穩(wěn)定性取決于外部環(huán)境對(duì)樣品艙的加熱或者制冷。如果由于氣流或熱源等原因,室溫變化超過(guò)±1℃,可能無(wú)法達(dá)到指定的溫度穩(wěn)定性。

c. 數(shù)據(jù)測(cè)試條件如下:QSX 303 SiO2芯片在25℃的去離子水中測(cè)量,流速為20μl/min,數(shù)據(jù)采集速率為每秒1個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn),測(cè)量時(shí)長(zhǎng)1小時(shí)。用于分析的數(shù)據(jù)間隔為2分鐘。等待超過(guò)1小時(shí)可以獲得更好的穩(wěn)定性。

d. 重量不包括外部電源。


QSense? Omni實(shí)際性能:


更高的采樣速率不可避免地會(huì)產(chǎn)生更高的噪音和提高檢出限。通過(guò)明顯降低噪音水平,QSense? Omni極大地降低了檢出限。下面的圖表描述了QSense? Omni在三種不同采樣間隔下的檢測(cè)限,可以看出在高采樣頻率下檢出限也可以做到非常低。下面的圖表列出了每種采集模式下的采集速度和檢出限(LOD)。

表1 a:性能特征

數(shù)據(jù)采集設(shè)置

采集7個(gè)倍頻數(shù)據(jù)需要的時(shí)間(s)

f/n-噪音 (Hz)

檢測(cè)限(ng/cm2)


耗散因子D噪音(?10-6)

低噪音

9.68

0.005

0.239

0.001

正常

1.06

0.009

0.496

0.003

快速

0.09

0.029

1.513

0.011


圖2a:每種采集模式下的采集速度和檢出限(LOD)。不同的采樣間隔下的理論檢測(cè)限(LOD)。檢測(cè)限設(shè)定為頻率噪音水平的3倍。


a 實(shí)驗(yàn)條件如下:QSX 303 SiO2芯片在20°C溫度下、流量15μL/min的去離子水中使用一個(gè)測(cè)量通道進(jìn)行測(cè)量。每種測(cè)量模式測(cè)量5分鐘,根據(jù)1分鐘時(shí)間范圍內(nèi)采集數(shù)據(jù)點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差,統(tǒng)計(jì)確定噪音數(shù)據(jù)。


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