普賽斯二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以晶準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

IGBT測(cè)試系統(tǒng)圖

    普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置由多種測(cè)量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

    高電壓、大電流

    具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(Z大可擴(kuò)展至10kV)

    具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測(cè)量

    nA級(jí)漏電流,  μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

    0.1%精度測(cè)量

    模塊化配置

    可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

    測(cè)試效率高

    內(nèi)置專用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

    支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

    擴(kuò)展性好

    支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

單臺(tái)Z大3500V輸出；

單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測(cè)量；

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

可定制夾具；

nA級(jí)電流和uΩ級(jí)電阻測(cè)量；

普賽斯儀表專業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！