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銻化銦(InSb)晶體基片

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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱:銻化銦(InSb)晶體基片
產(chǎn)品簡介:
技術(shù)參數(shù):單晶InSb摻雜None;Te;Ge導(dǎo)電類型N;N;P載流子濃度cm-31-5x10141-2x1015位錯密度cm-2<2x102
產(chǎn)品規(guī)格:標(biāo)準(zhǔn)尺寸:2"x0.5mm,表面粗糙度Ra:<15A注:可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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