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Plasma-Therm工藝設(shè)備PECVD / HDPCVD / RIE / ICP / DSE
- 品牌:Plasma-Therm
- 型號: PECVD / HDPCVD / RIE / ICP / DSE
- 產(chǎn)地:美洲 美國
- 供應商報價:面議
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新耕(上海)貿(mào)易有限公司
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業(yè)執(zhí)照
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詳細介紹
- Plasma-Therm是致力于PECVD/HDPCVD/RIE/ICP/DSE的世界知名設(shè)備提供商, 產(chǎn)品涵蓋2”~ 12”主流干法刻蝕/PECVD工藝,廣泛應用于半導體、MEMS、三五族(GaAs / SiC / CPV)、LED、SOI及半導體后段TSV領(lǐng)域
儀器簡介:
- 2”~12” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒)
- 領(lǐng)域 : 半導體前后段 / MEMS / 三五族(GaAs / SiC / CPV) / LED / SOI / TSV
- 制程 : PECVD / HDPCVD / RIE / ICP / DSE
特點:
- Plasma-Therm公司有將近40年研發(fā)及制造干法刻蝕/PECVD設(shè)備的歷史
- Plasma-Therm設(shè)備具有高穩(wěn)定性與高可靠度
- Plasma-Therm自有的軟硬件設(shè)計及完善QC系統(tǒng)
- Plasma-Therm設(shè)備配置靈活,包含手動、半自動、全自動(片盒對片盒)型號滿足實驗室研發(fā)及量產(chǎn)客戶需求
- Plasma-Therm設(shè)備在行業(yè)內(nèi)高占有率:目前世界范圍內(nèi)裝機數(shù)量超過1600臺
- Plasma-Therm PECVD設(shè)備:具有**的uniformity(3%)和溫度控制技術(shù)
- Plasma-Therm RIE / ICP設(shè)備:具有高刻蝕速率,低損傷, **的溫度均勻性控制(獨有的整個反應腔陶瓷加熱技術(shù)),方便的腔體清潔技術(shù)以及jing準靈敏的刻蝕斷點監(jiān)測技術(shù)
- Plasma-Therm DES設(shè)備:應用于MEMS及TSV領(lǐng)域,主要用于高深寬比刻蝕, morphing技術(shù)確保側(cè)壁的profile的精確控制,快速氣體切換技術(shù)(ZL)確??涛g的側(cè)壁平滑,獨有的壓力控制技術(shù)(ZL),高靈敏的刻蝕斷點監(jiān)測技術(shù)
- Plasma-Therm連續(xù)15年被VLSI評為10 Best設(shè)備供應商
- 半導體:
- 三五族(GaAs / SiC / CPV)
- MEMS / SOI
- LED
- 半導體后段及TSV
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