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場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000

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產(chǎn)品特點

專門為電子束敏感樣品和需zuida300萬倍穩(wěn)定觀察的先進半導體器件,高分辨成像所設計。

詳細介紹

場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000

                       

專門為電子束敏感樣品和需最大300萬倍穩(wěn)定觀察的先進半導體器件,高分辨成像所設計。


特色

  • 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
    0.4 nm / 30 kV (SE)
    1.2 nm / 1 kV (SE)
    0.34 nm / 30 kV (STEM)

  • 用改良的高真空性能和無與倫比的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。

  • 采用全新設計的Super E x B能量過濾技術,高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。


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