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正電子湮沒壽命譜儀 材料缺陷測量表征儀器
- 品牌:日本AP科技
- 型號: TechnoAP
- 產(chǎn)地:亞洲 日本
- 供應商報價:¥2000000
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上海埃飛電子科技有限公司
更新時間:2022-01-12 11:04:59
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銷售范圍售全國
入駐年限第7年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品核輻射(3件)
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詳細介紹
產(chǎn)品簡介
正電子湮沒壽命譜儀測量系統(tǒng)用于金屬、合金、半導體材料等的測量。該裝置包括兩個采集模塊和兩個電源模塊。在壽命譜模式中,時間是用采樣率3GS/s采集卡來采集的,它是采集來自兩BaF2閃爍體的高速脈沖信號。在符合多普勒展寬測量(CDB)的模式中,二維直方圖是通過符合兩個高純鍺半導體探測器的波峰值得到的。此外,該設備還可以用來測AMOC,這個壽命動量關聯(lián)譜。
性能特點
1、組成部分
(1) 壽命譜模塊
它是用于時間壽命譜測量,每個通道采用高速3 GHz ADC。
輸入信號是BaF2 閃爍體探測器。
DSP內置了時間差分(CFD、TDC)功能。
(2)DSP多通道分析模塊
它是一個用于伽馬射譜分析模塊的多路數(shù)字信號處理(DSP)模塊。采集來自Ge半導體探測器的前置放大器的輸出信號。
采樣率100 MSPS,ADC大增益為8192。
(3)前置放大器電源模塊
前置放大器電源用于給Ge半導體探測器供電。
通過D-sub 9針連接器供應±24 V(50 mA)和±12 V(50 mA)電源。
連接器的引腳排列符合NIM標準。
(4)高壓電源模塊
它是給兩個BaF 2閃爍探測器和兩個Ge半導體探測器的提供高壓的高壓電源。
CH1和CH2用于給Ge半導體探測器提供高壓,大電壓+5000V(或-5000V)。
CH3和CH4用于給BaF2閃爍探測器提供高壓,大電壓-4000V。
兩者都使用SHV連接器。
(5)VME機箱7槽VME機箱,100V/200V供電,額定功率300W
2、測量模式(包含5種測量模式)
(1)壽命譜模式
壽命譜模式(Lifetime )是通過同時采集兩個BaF 2閃爍體探測器的波形,取兩個波形上升時間之差,來得到正電子壽命譜的測量。
Upper:Black Start 1.274MeV@22Na, Red Stop 511keV@22Na Lower:Blue Lifetime spectra, Sample:polycarbonate
(2)波形模式
波形模式是采集來自兩個BaF 2閃爍探體測器的波形。
(3)能量模式
能量模式是用于測量來自兩個Ge半導體探測器的能譜。
(4)CDB(符合多普勒擴展譜)模式
CDB模式是對兩個Ge半導體探測器的符合計數(shù),取每個峰峰值,得到正電子湮沒符合計數(shù)的多普勒展寬。(5)AMOC(正電子壽命-動量關聯(lián)譜)模式
AMOC模式是兩個BaF 2閃爍體探測器和一個Ge半導體探測器的符合計數(shù)來測量正電子壽命 - 動量關聯(lián)譜的模式。技術參數(shù)
主要參數(shù)
●功能: Lifetime、CDB和AMOC
●ADC: 時間:2CH 3GSPS 8bit
CDB :2CH 100MSPS 14bit
●時間分辨: FWHM(半高寬) 192ps (511keV@22Na, BaF2 閃爍體) FWHM(半高寬) 160 – 190 ps (Silica)
●能量分辨: 1.23keV(512keV@106Ru) 1.69keV(1.33MeV@60Co)
●PMT高壓 : 2CH, -4000V 對于Ge(鍺)半導體: 2CH, +5000V ※包括前放
●接口: Ethernet (TCP/IP)
●附件包括應用指導手冊