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正電子湮沒壽命譜儀 材料缺陷測量表征儀器

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詳細介紹

產(chǎn)品簡介

      正電子湮沒壽命譜儀測量系統(tǒng)用于金屬、合金、半導體材料等的測量。該裝置包括兩個采集模塊和兩個電源模塊。在壽命譜模式中,時間是用采樣率3GS/s采集卡來采集的,它是采集來自兩BaF2閃爍體的高速脈沖信號。在符合多普勒展寬測量(CDB)的模式中,二維直方圖是通過符合兩個高純鍺半導體探測器的波峰值得到的。此外,該設備還可以用來測AMOC,這個壽命動量關聯(lián)譜。

 

 

性能特點

1、組成部分

1) 壽命譜模塊
它是用于時間壽命譜測量,每個通道采用高速3 GHz ADC。
輸入信號是BaF2 閃爍體探測器。
DSP內置了時間差分(CFD、TDC)功能。
2DSP多通道分析模塊
它是一個用于伽馬射譜分析模塊的多路數(shù)字信號處理(DSP)模塊。采集來自Ge半導體探測器的前置放大器的輸出信號。
采樣率100 MSPSADC大增益為8192。
3)前置放大器電源模塊
前置放大器電源用于給Ge半導體探測器供電。
通過D-sub 9針連接器供應±24 V50 mA)和±12 V50 mA)電源。
連接器的引腳排列符合NIM標準。
4)高壓電源模塊
它是給兩個BaF 2閃爍探測器和兩個Ge半導體探測器的提供高壓的高壓電源。
CH1CH2用于給Ge半導體探測器提供高壓,大電壓+5000V(或-5000V)。
CH3CH4用于給BaF2閃爍探測器提供高壓,大電壓-4000V。
兩者都使用SHV連接器。
5VME機箱

7VME機箱,100V/200V供電,額定功率300W

 

2、測量模式(包含5種測量模式)

 

1)壽命譜模式

壽命譜模式(Lifetime )是通過同時采集兩個BaF 2閃爍體探測器的波形,取兩個波形上升時間之差,來得到正電子壽命譜的測量。

                         

                    

UpperBlack Start 1.274MeV@22Na,  Red Stop 511keV@22Na LowerBlue Lifetime spectra,  Samplepolycarbonate

2)波形模式

波形模式是采集來自兩個BaF 2閃爍探體測器的波形。

3)能量模式

能量模式是用于測量來自兩個Ge半導體探測器的能譜。

4CDB(符合多普勒擴展譜)模式
CDB模式是對兩個Ge半導體探測器的符合計數(shù),取每個峰峰值,得到正電子湮沒符合計數(shù)的多普勒展寬。



5AMOC(正電子壽命-動量關聯(lián)譜)模式
AMOC模式是兩個BaF 2閃爍體探測器和一個Ge半導體探測器的符合計數(shù)來測量正電子壽命 - 動量關聯(lián)譜的模式。

 


技術參數(shù)

主要參數(shù)

●功能: LifetimeCDBAMOC

ADC: 時間:2CH 3GSPS 8bit

            CDB 2CH 100MSPS 14bit

●時間分辨: FWHM(半高寬) 192ps 511keV@22Na, BaF2 閃爍體) FWHM(半高寬) 160 190 ps (Silica)

●能量分辨: 1.23keV512keV@106Ru 1.69keV(1.33MeV@60Co)

PMT高壓 : 2CH, -4000V 對于Ge()半導體: 2CH, +5000V ※包括前放

●接口: Ethernet TCP/IP

●附件包括應用指導手冊


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