四探針粉末電導(dǎo)率測(cè)試儀采用集成電路模塊； USB，232通訊接口，直流恒流源 ，提供四點(diǎn)探針法測(cè)量模式，采用PC軟件操作，自動(dòng)測(cè)試過程數(shù)據(jù)曲線及圖譜分析，實(shí)時(shí)分析壓強(qiáng)/壓力與電阻，電阻率，電導(dǎo)率的變化關(guān)系，及報(bào)表生成，存儲(chǔ)，打印等；

四探針粉末電導(dǎo)率測(cè)試儀

可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 1552硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定直排四探針法樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定。樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5"，測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1，范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量準(zhǔn)確度尚未評(píng)估。使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

概述：采用四端測(cè)量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，實(shí)驗(yàn)室；是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具?？膳渲貌煌瑴y(cè)量裝置測(cè)試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補(bǔ)償功能，自動(dòng)量程，自動(dòng)測(cè)量電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出；選配：PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器，薄膜按鍵操作簡(jiǎn)單，中文或英文兩種語(yǔ)言界面選擇，電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表，量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中的規(guī)定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4計(jì)算幾何修正因子F，見式(4)。對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表，能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻，溫度針0℃-40℃，小刻度為0.1℃。光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，甲醇、99.5%，干燥氮?dú)狻y(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差，硅片幾何形狀，表面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，R(TD-R_xF式中:計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻R.，見式(3).試劑優(yōu)級(jí)純，純水，25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,s=號(hào)(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..計(jì)算每一測(cè)量位置在所測(cè)溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄層電阻計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電阻率并修正到23℃，具體見表4)見式(5).用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，到達(dá)熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.接通電流，令其任一方向?yàn)檎颍{(diào)節(jié)電流大小見表1測(cè)量范圍電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)直    徑：A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，   方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，    長(zhǎng)(高)度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    測(cè)量方位: 軸向、徑向均可

4-1/2 位數(shù)字電壓表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

數(shù)控恒流源

   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA，1A

   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

所給出的某一合適值，測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù)，所有測(cè)試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。改變電流方向，測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對(duì)仲裁測(cè)量，探針間距為1.59

規(guī)格及型號(hào)

本儀器本儀器采用四探針雙電測(cè)量方法，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，壓強(qiáng) 配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。

標(biāo)準(zhǔn)要求：

該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

技術(shù)參數(shù)及功能介紹

1.雙電測(cè)四探針法測(cè)試薄層樣品方阻計(jì)算和測(cè)試原理如下：

直線四探針測(cè)試布局如圖8，相鄰針距分別為S1、S2、S3,根據(jù)物理基礎(chǔ)和電學(xué)原理：

當(dāng)電流通過1、4探針，2、3探針測(cè)試電壓時(shí)計(jì)算如下：

四探針測(cè)試結(jié)構(gòu)

當(dāng)電流通過1、2探針，4、3探針測(cè)試電壓時(shí)計(jì)算如下：從以上計(jì)算公式可以看出：方阻RS只取決于R1和R2，與探針間距無(wú)關(guān)．針距相等與否對(duì)RS的結(jié)果無(wú)任何影響，本公司所生產(chǎn)之探針頭全部采用等距，偏差微小，對(duì)測(cè)試結(jié)果更加。

1.1.開機(jī)預(yù)熱：將220V電源插頭插入電源插座，打開電源開關(guān)，讓儀器預(yù)熱15分鐘，保證測(cè)試數(shù)據(jù)穩(wěn)定。若測(cè)試儀無(wú)法正常啟動(dòng)，請(qǐng)按以下步驟檢查：

①檢查電源線是否接觸良好；

②檢查后面板上的電源開關(guān)是否已經(jīng)打開

③檢查保險(xiǎn)絲是否熔斷，如有必要，請(qǐng)更換保險(xiǎn)絲

④ 如經(jīng)上述檢查無(wú)誤后，測(cè)試儀仍未正常啟動(dòng)，請(qǐng)聯(lián)系本公司進(jìn)行解決。