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德國EBIC電子束感生電流分析系統(tǒng)

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產(chǎn)品特點

作為德國PE公司中國總代理,裕隆時代向用戶提供專業(yè)的電子束感生電流分析系統(tǒng)EBIC

EBIC電子束感生電流分析系統(tǒng)是一種基于掃描電子顯微鏡(SEM)的圖像采集及分析系統(tǒng),主要用于半導(dǎo)體器件及其他材料的失效及結(jié)構(gòu)分析。

它通過分析電子束照射樣品時在樣品內(nèi)產(chǎn)生的電流信號,以圖像方式直觀表征出樣品特征、樣品中P-N結(jié)位置、失效區(qū)域,并可以突出顯示樣品的非同質(zhì)性區(qū)域,從而對樣品進行全面分析。

詳細介紹


作為德國POINT ELECTRONIC  (PE) 公司中國總代理,裕隆時代向用戶提供專業(yè)的的電子束感生電流分析系統(tǒng)EBIC

EBIC電子束感生電流分析系統(tǒng)是一種基于掃描電子顯微鏡(SEM)的圖像采集及分析系統(tǒng),主要用于半導(dǎo)體器件及其他材料的失效及結(jié)構(gòu)分析。

它通過分析電子束照射樣品時在樣品內(nèi)產(chǎn)生的電流信號,以圖像方式直觀表征出樣品特征、樣品中P-N結(jié)位置、失效區(qū)域,并可以突出顯示樣品的非同質(zhì)性區(qū)域,從而對樣品進行全面分析。


EBIC原理
當(dāng)掃描電鏡電子束作用于半導(dǎo)體器件時,如果電子束穿透半導(dǎo)體表面,電子束電子與器件材料晶格作用將產(chǎn)生電子與空穴。這些電子和空穴將能較為自由地運動,但如果該位置沒有電場作用,它們將很快復(fù)合湮滅(發(fā)射陰極熒光),若該位置有電場作用(如晶體管或集成電路中的pn結(jié)),這些電子與空穴在電場作用下將相互分離。故一旦在pn結(jié)的耗盡層或其附近位置產(chǎn)生電子空穴對,空穴將向p型側(cè)移動,電子將向n型側(cè)移動,這樣將有一靈敏放大器可檢測到的電流通過結(jié)區(qū)。該電流即為電子束感生電流(EBIC)。由于pn結(jié)的耗盡層有最多的多余載流子,故在電場作用下的電子空穴分離會產(chǎn)生較大的電流值,而在其它的地方電流大小將受到擴散長度和擴散壽命的限制,故利用EBIC進行成像可以用來進行集成電路中pn結(jié)的定位和損傷研究。 

 

EBIC應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于:
1)材料晶格缺陷探測分析,缺陷以黑點和黑線標(biāo)識出來;
2)P-N結(jié)缺陷區(qū)域定位;
3)雙極電路中導(dǎo)致集電極-發(fā)射極漏電電流的收集管路的探測;
4)探測額外連接或者多層摻雜;
5)確定靜電放電/電過載(ESD/EOS)導(dǎo)致的失效位置;
6)測量減壓層/耗盡層(depletion layer)寬度和少數(shù)載流子擴散長度和時間(minority carrier diffusion lengths/lifetimes)
等等。

EBIC圖像對于電子-空穴的重新組合非常敏感,因此EBIC技術(shù)能夠非常有效的對半導(dǎo)體材料缺陷等進行失效分析。

 


EBIC acquisition
The best quantitative electronics and  Software for Electron Beam Induced Current (EBIC)


Correlate topography,composition and structure with elecrical activity
 

  • Record simultaneous EBIC, SE, BSE and EDS signals

  • Colour and mix signals for spatial correlation

  • Distinguish between active and passive defects

 

 


Enable TEM or atom probe microscopy sample preparation
 

  •  Localise defects with sufficient resolution for TEM sample preparation

  • Avoid alignment error by directly imaging defects with EBIC in FIB SEM

  • Use live EBIC imaging to stop ion milling for sample preparation


Verify device operation modes with built-in DC biasing and live overlay
 

  • Image junctions and fields in delayered devices

  • Map electrical activity of solar cells under bias

  • Compare imaged behaviour with device modelling

  •  



Map junctions defects with the highest possible resolution
 
  • Correlate structural defects with electrical activity

  • Map active areas of junctions and electrical fields

  • Validate doping profiles and areas



 
Access third dimension with depth profiling
 
  • Manipulate depth of EBIC signal by changing kV in SEM

  • Investigate EBIC images of cross-sections in FIB-SEM

  • Export EBIC depth series for 3D reconstruction



裕隆時代擁有一支涉及眾多領(lǐng)域高素質(zhì)的應(yīng)用支持團隊,向客戶提供完整的實驗室解決方案和良好的售后服務(wù)。


我們承諾24小時內(nèi)對客戶需求做出反應(yīng)。

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