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金屬晶體生長爐

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詳細(xì)介紹

SKJ-M50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設(shè)備,可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護(hù)氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運(yùn)行。根據(jù)金屬的屬性,本機(jī)可采用中頻感應(yīng)加熱電源,以及石墨電阻加熱兩種加熱方式;采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫,使結(jié)晶體按照一定的直徑進(jìn)行控制。屬于小型晶體生長爐,適合于大專院校、研究所使用。

產(chǎn)品型號(hào)

SKJ-M50-16金屬晶體生長爐

安裝條件

本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)(加注純凈水或者去離子水)

2、電:AC380V 50Hz(63A空氣開關(guān)),必須有良好接地

3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣(純度99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶?6mm雙卡套接頭)

4、工作臺(tái):尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上

5、通風(fēng)裝置:需要

主要特點(diǎn)

屬于小型晶體生長爐,適合于大專院校、研究所使用。

技術(shù)參數(shù)

1、電源:208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW

2、爐體容積:約100L

3、爐管:石英管或剛玉管

4、坩堝:高純石墨坩堝

5、加熱元件:1800級(jí)硅鉬棒

6、溫控系統(tǒng):50段控溫程序

7、控溫精度:±1℃

8、工作溫度:連續(xù)工作1600℃,短時(shí)間工作1700℃

9、控溫方式:自動(dòng)程序控溫

10、生長方法:區(qū)熔法(樣品固定不動(dòng),爐體向上移動(dòng))

11、移動(dòng)速度:1mm/h-10mm/h可調(diào)

12、快速移動(dòng):手動(dòng)

13、結(jié)晶轉(zhuǎn)速:1rpm-50rpm

14、真空系統(tǒng):機(jī)械泵和擴(kuò)散泵

15、極限真空度:10-5torr

標(biāo)準(zhǔn)配件

1、電源控制系統(tǒng)一套

2、機(jī)械控制系統(tǒng)一套

可選配件

Kathnal Super-1800級(jí)硅鉬棒


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