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頂部籽晶法晶體生長爐

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詳細介紹

VTF-1600X-TSSG頂部籽晶法晶體生長爐可利用助溶劑法生長各種材料單晶。箱式爐采用氧化鋁纖維作為爐膛材料,以MoSi2為加熱元件,其腔體尺寸為φ330mm×250mm(H),ZG溫度可達1700℃。30段可編程精密溫度控制器,可根據(jù)不同的客戶需求來設(shè)定升降溫程序,控溫精度可達±1℃,配備精密旋轉(zhuǎn)提拉機構(gòu)可用于頂部籽晶助溶劑法生長各種晶體材料,提拉速度和旋轉(zhuǎn)速度均可根據(jù)客戶需求進行定制。

產(chǎn)品名稱

VTF-1600X-TSSG頂部籽晶法晶體生長爐

技術(shù)參數(shù)

1、工作電源

AC 220V,50/60Hz;功率:9.5KW

2、爐體結(jié)構(gòu)參數(shù)

爐膛材料,采用氧化鋁多晶纖維

采用雙層殼體結(jié)構(gòu),使得殼體表面的溫度小于60度

加熱元件采用優(yōu)質(zhì)硅鉬棒

內(nèi)部加熱區(qū)尺寸:Φ330mm×250mm(H)(21L)

有效加熱區(qū):φ200mm×250mm(H)(8L)

3、工作溫度

ZG工作溫度:1700℃(<1h)

連續(xù)使用溫度:1600℃

4、控溫方式

智能化30段可編程控制 ,可設(shè)置30段升降溫程序

恒溫精度:±1℃

升溫速率:0-10℃/min(建議≤5℃)

可選:可選購歐陸儀表進行控溫,控溫精度可達±0.1℃

5、籽晶提拉旋轉(zhuǎn)機構(gòu)

水冷提拉桿直徑:28mm

可定制的提拉速度范圍:0.03-12mm/h(客戶根據(jù)實際需求進行定制,具體情況可與本公司銷售聯(lián)系)

ZD提拉行程:400mm

手動操作實現(xiàn)快速升降

選配:旋轉(zhuǎn)速度:0.03-50r/min(根據(jù)要求定制旋轉(zhuǎn)機制以及旋轉(zhuǎn)速度范圍)

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品尺寸:610×635×825mm

廠商推薦產(chǎn)品

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