3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)-NanoFrazor Explore

納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案

    NanoFrazor光刻技術(shù)，衍生于IBM Research研發(fā)的熱掃描探針光刻技術(shù)——快速、準(zhǔn)確地控制納米針尖的移動及溫度，利用熱針尖實現(xiàn)對熱敏抗刻蝕劑的快速準(zhǔn)確刻寫，從而為納米制造提供了許多新穎的、獨特的可能性。

    NanoFrazor Explore以高的速度、精度和可靠性運行，是目前所有掃描探針光刻技術(shù)中速度快、應(yīng)用廣泛的一種。

    NanoFrazor Explore配備了先進(jìn)的硬件和軟件，以優(yōu)異的方式控制可加熱的NanoFrazor懸臂梁，以便進(jìn)行書寫和成像，實現(xiàn)基于閉環(huán)光刻技術(shù)的各種高精度圖案化工藝。2019年，Explore增配了激光直寫模塊，有效加快了特征線寬在微米或亞微米水平的圖形的加工速度，成為納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案。由此，在針對同一抗刻蝕層的圖案化工藝中，實現(xiàn)了納米刻寫與微米刻寫的無縫銜接。從而可以根據(jù)不同的圖案特征線寬，采用不同精度的刻寫技術(shù)，兼顧精度與速度。

主要特點：

★  利用加熱針尖直接刻寫圖案，分辨率優(yōu)于15 nm；

★  利用激光熱揮發(fā)實現(xiàn)圖案化，分辨率優(yōu)于1 μm；

★  高速原位AFM輪廓成像；

★  樣品尺寸100×100 mm2；

★  閉環(huán)光刻；

★  灰度曝光，分辨率及精度達(dá)到2 nm；

★  利用原位AFM實現(xiàn)jing準(zhǔn)的對準(zhǔn)，從而實現(xiàn)無掩膜套刻及寫場拼接；

★  高的隔音及隔振性能；

★  無需潔凈間，亦無特殊的實驗室環(huán)境要求

閉環(huán)光刻

NanoFrazor光刻系統(tǒng)是基于熱掃描探針光刻技術(shù)，其核心部件是一種可加熱的、非常尖銳的針尖，利用此針尖可以直接進(jìn)行復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的刻寫并且同時探測刻寫所得結(jié)構(gòu)的形貌。加熱的針尖通過熱作用，直接揮發(fā)局部的抗刻蝕劑，從而實現(xiàn)對各類高分辨納米結(jié)構(gòu)的制備。此外，NanoFrazor的光刻技術(shù)能夠與各類標(biāo)準(zhǔn)的圖形轉(zhuǎn)移方案（如lift-off、刻蝕）兼容，從而實現(xiàn)各類材料的圖形化制備。

ZG“閉環(huán)光刻”技術(shù)確保圖形化工藝的高精確度

納米光刻與微米光刻兼顧的圖形化工藝方案

自2019年開始，NanoFrazor Explore增配了激光直寫模塊，由此在保障納米級分辨率圖案刻寫精度的同時，大大提升了NanoFrazor Explore對微米級分辨率圖形的刻寫速度。

激光刻寫

基于激光的熱作用，以亞微米精度，快速、直接地?fù)]發(fā)抗刻蝕劑，從而實現(xiàn)大面積的圖案化工藝（例如微納結(jié)構(gòu)的引線或焊點圖形制備）。

熱探針直寫

對于納米結(jié)構(gòu)或納米器件關(guān)鍵部分的高精度、高分辨率刻寫。

刻寫所得結(jié)構(gòu)的測量、觀測、對準(zhǔn)

由于抗刻蝕劑直接揮發(fā)，無須濕法顯影操作即可實現(xiàn)抗刻蝕劑的圖案化。在圖案化過程中，同一根探針能夠原位、高速的對圖案化抗刻蝕劑進(jìn)行AFM成像和測試。

微米尺度及納米尺度的哈佛大學(xué)校徽，對PPA刻蝕劑的刻蝕深度為30 nm，圖像由NanoFrazor Explore的探針進(jìn)行AFM成像獲得。(Courtesy of Harvard CNS)

3D灰度納米光刻

★  可在針尖掃描的每個位置對圖案化工藝的深度進(jìn)行設(shè)定（即每個像素點的灰度值）

★  閉環(huán)光刻技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)前所未有的灰度刻寫精度（經(jīng)論證，對大于16個灰階的結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖案化工藝，灰度刻寫的誤差小于1納米）

無掩膜套刻與拼接

★  通過原位AFM功能實現(xiàn)高精度的無掩膜套刻及拼接（經(jīng)論證，精度優(yōu)于10 nm）；

★  埋在抗刻蝕劑PPA下的圖案結(jié)構(gòu)（如納米片、納米線等）可用作“天然的”對準(zhǔn)標(biāo)記寫場的自動關(guān)聯(lián)拼接；

由金的lift-off工藝獲得的）反射全息圖包含1×108個像素點，每個寫場為邊長50 μm的正方形，寫場間的拼接由AFM相關(guān)技術(shù)實現(xiàn)

利用無掩膜光刻在單根納米線上制備金屬電極：（a）由Explore的AFM成像功能探測到的納米線輪廓及位置信息（綠線標(biāo)出）與擬制備的電極結(jié)構(gòu)布局圖（粉色區(qū)域）；（b）lift-off工藝后獲得的帶有金屬電極的單根納米線的SEM圖像

高分辨率

★  尖銳的針尖，為了高分辨率的實現(xiàn)（經(jīng)論證，在PPA抗刻蝕劑中能夠?qū)崿F(xiàn)的半節(jié)距優(yōu)于10納米）

★  無須針對臨近效應(yīng)的修正

由PPA抗刻蝕劑轉(zhuǎn)移至硅基襯底的鰭型結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)(Courtesy of IBM Research and imec)

其他獨特性能

★  低損傷：制備過程中沒有引入帶電粒子束流，基于敏感材料的微納器件能夠獲得更好器件特性

★  納米尺度的材料轉(zhuǎn)換：多種材料的直接熱誘導(dǎo)修飾（相變、化學(xué)反應(yīng)……）

設(shè)備型號

應(yīng)用案例

三維光子分子（3D PHOTONIC MOLECULES）

(Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018)

單電子器件

Courtesy of IBM Research Zurich, publication in 2018

基于二維原子晶體的器件

(Courtesy of Prof. Elisa Riedo, NYU)

基于準(zhǔn)一維納米材料的納米器件

(Courtesy of S. Karg & A. Knoll, IBM Research – Zurich)

基于布朗馬達(dá)的納米器件，可用于納米顆粒分類

(Courtesy of IBM Research, Publications in Science and PRL 2018)

已發(fā)表的文獻(xiàn)

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